节点序列中，10a是1d之后首个实际线宽低于10纳米的节点，专家估算其线宽为9.5–9.7nm。 工作晶片代表设计与工艺方向正确，后续将进入良率提升与可靠性验证阶段。三星规划：2026年完成10a DRAM开发，2027年开展品质测试，2028年转入量产。10a至10c三代将持续采用4F²+VCT技术
PU以锁步模式执行相同计算，导致电网层面出现明显的功率波动；与传统数据中心负载不同，AI工作负载在空闲与高功率状态之间形成突变式切换。若将CPU负载类比为平滑的波浪曲线，GPU负载则更接近方波尖刺。功率密度越高的代际，方波尖刺的绝对幅度越大，对供电系统瞬时响应能力的冲击也成倍放大。这一特性意味着，单纯提升供电容量已不足以应对挑战——毫秒级的功率补偿能力正成为供电设计的核心约束。 1.2 传统三级
果为全球首次融合4F²单元结构与垂直沟道晶体管（VCT）工艺的实践。DRAM节点序列中，10a是1d之后首个实际线宽低于10纳米的节点，专家估算其线宽为9.5–9.7nm。 工作晶片代表设计与工艺方向正确，后续将进入良率提升与可靠性验证阶段。三星规划：2026年完成10a DRAM开发，2027年开展
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